蝕刻生產全流程與關鍵技術解析
發布日期:2025-06-25
蝕刻加工流程核心步驟
材料預處理:針對不銹鋼、銅材等基材進行脫脂、酸洗,確保表面無氧化物(油污殘留量≤0.1mg/m2);
圖形轉移:通過LDI激光直寫或網印法制作掩膜,實現5μm線寬公差控制;
蝕刻加工工藝:采用濕法(FeCl?溶液)或干法(等離子體)精準腐蝕,完成0.02-15mm厚度材料的微孔陣列加工(密度達1000孔/cm2);
后處理:去除殘膠后實施電解拋光(表面粗糙度Ra≤0.05μm),保障半導體屏蔽罩等產品的電學性能。
分類工藝特點
濕法蝕刻生產:適用于90%以上民用領域,成本低(溶液循環利用率≥95%),可處理復雜三維結構;
干法蝕刻加工工藝:滿足半導體3nm線寬需求,通過離子轟擊實現各向異性刻蝕(側蝕比<1:0.2),適配晶圓級TSV通孔加工。
技術優勢與行業適配
超高精度:汽車傳感器濾網(公差±0.0075mm)、5G射頻基板(0.03mm蝕刻深度控制),展現蝕刻生產的微納級成型能力;
材料利用率:閉路再生系統將廢液排放量降低80%,相較傳統沖壓節約30%金屬損耗;
定制化適配:醫療植入器件(316L不銹鋼鹽霧耐蝕≥1000h)與家電蝕刻紋飾板的差異化工序,體現蝕刻加工工藝的多場景融合能力。